425 シリコンナノワイヤーピエゾ抵抗素子の特性評価(WS-1 マイクロデバイスの加工と材料評価)

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概要

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• Si nano wire piezoresistor, whose minimum cross-sectional area is 53nm x 53nm, was fabricated by combination of electron beam (EB) direct writing and RIE. In order to confirm an ability of the Si nano wire piezoresistor as a sensing element of mechanical sensor, the piezoresistive effect was investigated. Longitudinal piezoresistive coefficient π_<l[011]> of the nano wire piezoresistor increased, while transverse piezoresistive coefficient π_<t[01^^-1]>^- decreased with decreasing the cross-sectional area. The maximum value of the longitudinal piezoresistive coefficient π_<l[011]> was 48 x 10^<-5> (1/MPa) at impurity concentration of 5 x 10^<19> (cm^<-3>).

• 社団法人日本機械学会の論文
• 2001-03-16

著者

• 杉山 進

  立命館大学理工学部

• 鳥山 寿之

  立命大理工

• 杉山 進

  立命館大学 立命館グローバル・イノベーション研究機構

• 鳥山 寿之

  立命館大学 理工学部マイクロ機械システム工学科

• 鳥山 寿之

  立命館大

• 鳥山 寿之

  NEDO

• 谷本 靖忠

  立命館大学

• 杉山 進

  立命館大学

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