真空ピンチャックの吸着特性(第1報) : 裏面うねりの表面平坦度への影響
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概要
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Fabrication of ULSI devices requires a 12" silicon wafer to have a site flatness below 0.1 μm. Vacuum pin chucks have been used for planarizing in optical lithography or for final polishing. This paper describes the influence of the back-surface waviness on wafer flatness. Pin support during clamping reduces the effect of the dust, but degrades wafer flatness. It is shown that degradation of wafer flatness is caused by a smaller number of contact pins between the pin top and the wafer's back surface, and improper contact conditions. It is also shown that there is no practical problem in using a 700-μm-thick silicon wafer with a 1-mm-pitch-pin chuck during polishing.
- 公益社団法人精密工学会の論文
- 1998-10-05
著者
-
大平 文和
日本電信電話(株)通信エネルギー研究所
-
大平 文和
Ntt境界領域研究所
-
松井 伸介
NTT境界領域研究所
-
松井 伸介
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
松井 伸介
日本電信電話(株)
-
宇根 篤暢
防衛大学校 機械工学科
-
餅田 正秋
防衛大学校 機械工学科
-
石川 良征
日本電信電話(株)通信エネルギー研究所
-
津島 佳男
防衛大学校
-
餅田 正秋
防衛大
-
石川 良征
日本電信電話株式会社nttマイクロシステムインテグレーション研究所
-
松井 伸介
Ntt フォトニクス研
-
大平 文和
日本電信電話(株)ntt光エレクトロニクス研究所
-
宇根 篤暢
防衛大学校
-
餅田 正秋
防衛大学校
-
大平 文和
日本電信電話(株)
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