金田 寛 | 富士通プロセス開発部
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概要
関連著者
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金田 寛
富士通プロセス開発部
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金田 寛
富士通(株)
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金田 寛
富士通 Ulsi開発部
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小川 力
富士通(株)
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小飯塚 正明
富士通 Ulsi開発部
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金田 千穂子
富士通研究所
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小川 力
富士通プロセス開発部
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和田 邦彦
富士通プロセス開発部
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金田 寛
富士通 プロセス開発部
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白川 良美
富士通プロセス開発部
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金田 千穂子
富士通研
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白川 良美
富士通(株)
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森 治久
富士通プロセス開発部
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小飯塚 正明
富士通プロセス開発部
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藤村 忠雄
東北大科研
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小飯塚 正明
富士通デバイス開発部
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金田 寛
富士通デバイス開発部
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森 治久
富士通(株)基礎プロセス開発
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田巻 明
東京電機大工
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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田巻 明
東京電機大学
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後藤 輝孝
東北大科研
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柳下 皓男
富士通研究所
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藤村 忠雄
東北大学科学計測研究所
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田巻 明
東北大科研
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村石 修一
日本電子株式会社応用研究センター
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福田 哲生
富士通研究所
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金田 寛
富士通基礎プロセス開発部
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小川 力
富士通基礎プロセス開発部
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福島 茂
富士通研究所
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北小路 俊右
富士通研究所
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金田 寛
富士通 基礎プロセス開発部
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小川 力
富士通 基礎プロセス開発部
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小川 力
富士通 プロセス開発部
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村石 修一
日本電子
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稲葉 三智子
富士通デバイス開発部
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金田 寛
富士通 デバイス開発部
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田巻 明
東京電機大
著作論文
- 2p-Z-10 GeドープによるSi:Oの局在モード変調
- 3p-Q-10 シリコン中の不純物酸素析出に伴う不純物赤外及び遠赤外吸収スペクトルの変化
- 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
- 30p-ZN-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離挙動 II
- 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
- 29p-K-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離拳動
- 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
- 27a-RA-5 熱膨張差に起因する多層構造円板の熱歪と熱応力の計算
- 31a-ZA-9 シリコン結晶中の酸素析出物界面欠陥によるESR
- 8a-S-1 CZ-Si結晶中の酸素析出欠陥の作る不純物準位の熱的挙動
- 低温赤外吸収による高濃度ドープシリコン基板中の酸素濃度評価 -エピタキシャルウエハーへの適用-
- 31a-E-13 Si結晶中の不純物酸素による30cm^ 吸収帯のピーク強度比 : 理論と実験の比較
- 赤外線で探るシリコン結晶中の酸素の運動
- CZ-Si結晶中の酸素析出関連欠陥の作る不純物準位
- シリコン中の不純物酸素の赤外及び遠赤外吸収線の線幅の温度依存性
- 3p-M-7 CZ-Si結晶のDZ内酸素析出関連欠陥に対するDLTS観測(II)
- 3p-M-2 シリコン結晶中の孤立格子間不純物酸素による低温1116cm^赤外吸収線の発見と理論的解釈
- 2p-M-9 赤外および遠赤外吸収法によるシリコン中の酸素関連欠陥の特定と振動状態解析
- 27p-N-10 シリコン中の不純物酸素局在振動による1136cm^-1赤外吸収線の幅の温度依存性
- 27p-N-9 CZ-Si結晶のDZ内酸素析出関連欠陥に対するDLTS観測
- 4a-YG-7 局在振動光励起によるSi中格子間酸素の増速拡散(理論的考察)
- 12a-DF-2 フォノン-共鳴モード-局在モード結合系の不純物赤外吸収
- 27p-H-4 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離挙動 III
- 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)