小川 力 | 富士通(株)
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概要
関連著者
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小川 力
富士通(株)
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金田 寛
富士通プロセス開発部
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金田 寛
富士通(株)
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金田 寛
富士通 Ulsi開発部
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金田 千穂子
富士通研
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金田 千穂子
富士通研究所
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小川 力
富士通プロセス開発部
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和田 邦彦
富士通プロセス開発部
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白川 良美
富士通(株)
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白川 良美
富士通プロセス開発部
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田巻 明
東京電機大工
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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鈴木 克己
超電導工研
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藤村 忠雄
東北大科研
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田巻 明
東京電機大学
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後藤 輝孝
東北大科研
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柳下 皓男
富士通研究所
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藤村 忠雄
東北大学科学計測研究所
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村石 修一
日本電子株式会社応用研究センター
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福田 哲生
富士通研究所
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金田 寛
富士通基礎プロセス開発部
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小川 力
富士通基礎プロセス開発部
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福島 茂
富士通研究所
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北小路 俊右
富士通研究所
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小川 力
教育大光研
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阪本 睦夫
教育大光研
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鈴木 克己
教育大光研
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金田 寛
富士通 基礎プロセス開発部
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小川 力
富士通 基礎プロセス開発部
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金田 寛
富士通 プロセス開発部
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小川 力
富士通 プロセス開発部
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村石 修一
日本電子
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田巻 明
東京電機大
著作論文
- 2p-Z-10 GeドープによるSi:Oの局在モード変調
- 3p-Q-10 シリコン中の不純物酸素析出に伴う不純物赤外及び遠赤外吸収スペクトルの変化
- HgSeの光学的性質 : イオン結晶・光物性 : EL・光伝導
- 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
- 30p-ZN-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離挙動 II
- 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
- 29p-K-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離拳動
- 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
- 27a-RA-5 熱膨張差に起因する多層構造円板の熱歪と熱応力の計算