小川 力 | 富士通プロセス開発部
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概要
関連著者
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金田 寛
富士通プロセス開発部
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小川 力
富士通プロセス開発部
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金田 千穂子
富士通研究所
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和田 邦彦
富士通プロセス開発部
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小川 力
富士通(株)
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金田 千穂子
富士通研
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藤村 忠雄
東北大科研
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金田 寛
富士通(株)
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田巻 明
東京電機大工
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金田 寛
新潟大物質量子セ
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田巻 明
東京電機大学
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後藤 輝孝
東北大科研
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柳下 皓男
富士通研究所
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藤村 忠雄
東北大学科学計測研究所
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田巻 明
東北大科研
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金田 寛
富士通 Ulsi開発部
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村石 修一
日本電子株式会社応用研究センター
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福島 茂
富士通研究所
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北小路 俊右
富士通研究所
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村石 修一
日本電子
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田巻 明
東京電機大
著作論文
- 3p-Q-10 シリコン中の不純物酸素析出に伴う不純物赤外及び遠赤外吸収スペクトルの変化
- 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
- 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
- 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
- 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)