27p-N-10 シリコン中の不純物酸素局在振動による1136cm^-1赤外吸収線の幅の温度依存性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1995-09-12

著者

• 金田 寛

  富士通 Ulsi開発部

• 金田 寛

  富士通(株)

• 金田 寛

  富士通プロセス開発部

• 金田 寛

  富士通 プロセス開発部

関連論文

• 20aPS-116 ボロン添加FZシリコンの原子空孔軌道の四極子効果II(20aPS 領域8ポスターセッション(低温I(遷移金属化合物,炭化・硼化物など)),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 27aRB-8 BドープFZシリコンの磁場中超音波計測(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 30a-YK-4 シリコン中の鉄の析出過程
• 酸素析出温度の異なるシリコン中の鉄のゲッタリング
• 24pYF-6 原子空孔を含むSi結晶の弾性定数の温度依存性 : TBMDおよびDFT解析(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-10 Si結晶中原子空孔の電子状態と振動モード : 第一原理およびタイトバインディング計算(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aRB-11 シリコン結晶中原子空孔の歪み場・弾性特性の解析 : 古典及び半経験的タイトバインディング分子動力学(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-10 シリコン単原子空孔の基底状態の再検討(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 25pYK-9 ボロン添加シリコンの弾性定数の異方的な磁場依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aPS-132 B-doped FZ Siの原子空孔軌道の四極子効果(領域8ポスターセッション(f電子系等),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 21pRB-1 低温超音波計測によるシリコン原子空孔の物性研究と産業応用(21pRB 領域10シンポジウム:シリコン結晶中の単原子空孔:量子状態解明の新たな展開と半導体技術イノベーション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aRB-7 超音波計測によるデバイス用シリコン結晶中の原子空孔観測(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24pYF-3 低温超音波計測による酸化熱処理シリコン結晶の原子空孔観測(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pYF-2 FZシリコン結晶における低温弾性ソフト化 : 高温長時間酸素アニールの影響(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-8 シリコン原子空孔の電子軌道と電気四極子(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22pTD-9 超音波計測によるCZシリコン中の原子空孔濃度分布の研究(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26aWZ-12 DFT計算によるシリコン単原子空孔の局在電子軌道の解析(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 22pTD-14 低温超音波計測による商業ベースデバイス用シリコン結晶の原子空孔濃度分布測定(格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 2p-Z-10 GeドープによるSi:Oの局在モード変調
• 3p-Q-10 シリコン中の不純物酸素析出に伴う不純物赤外及び遠赤外吸収スペクトルの変化
• 26a-G-8 格子間型不純物酸素によるSi結晶の低温弾性異常 (II)
• 30p-ZN-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離挙動 II
• 29p-K-12 GeドープによるSi:Oの局在モード変調(II)
• 29p-K-8 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離拳動
• 31p-TB-1 Si中の格子間酸素による1750cm吸収帯の起源
• 27a-RA-5 熱膨張差に起因する多層構造円板の熱歪と熱応力の計算
• 31a-ZA-9 シリコン結晶中の酸素析出物界面欠陥によるESR
• 8a-S-1 CZ-Si結晶中の酸素析出欠陥の作る不純物準位の熱的挙動
• 低温赤外吸収による高濃度ドープシリコン基板中の酸素濃度評価 -エピタキシャルウエハーへの適用-
• 31a-E-13 Si結晶中の不純物酸素による30cm^ 吸収帯のピーク強度比 : 理論と実験の比較
• 赤外線で探るシリコン結晶中の酸素の運動
• CZ-Si結晶中の酸素析出関連欠陥の作る不純物準位
• シリコン中の不純物酸素の赤外及び遠赤外吸収線の線幅の温度依存性
• 3p-M-7 CZ-Si結晶のDZ内酸素析出関連欠陥に対するDLTS観測(II)
• 3p-M-2 シリコン結晶中の孤立格子間不純物酸素による低温1116cm^赤外吸収線の発見と理論的解釈
• 2p-M-9 赤外および遠赤外吸収法によるシリコン中の酸素関連欠陥の特定と振動状態解析
• 27p-N-10 シリコン中の不純物酸素局在振動による1136cm^-1赤外吸収線の幅の温度依存性
• 27p-N-9 CZ-Si結晶のDZ内酸素析出関連欠陥に対するDLTS観測
• 4a-YG-7 局在振動光励起によるSi中格子間酸素の増速拡散(理論的考察)
• 12a-DF-2 フォノン-共鳴モード-局在モード結合系の不純物赤外吸収
• 27p-H-4 Si結晶中のC-O複合体欠陥の熱的形成解離挙動 III
• 31a-ZA-6 シリコン中の水素・アクセプター対による光吸収
• 19pYN-2 赤外線照射による不純物拡散の制御(領域10,領域4合同シンポジウム : 電子励起と不純物ダイナミックスのコントロール,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27pTJ-10 DFT計算によるシリコン単原子空孔のスピン軌道相互作用の検討(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26pPSA-46 横波超音波計測によるボロン添加シリコンの原子空孔軌道の研究(26pPSA 領域8ポスターセッション(低温2),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25pED-13 ボロン添加シリコンの原子空孔軌道と横波弾性定数C_の磁場依存性(25pED 超伝導物質,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 31a-ZA-10 シリコン結晶中の不純物酸素による1700cm^赤外 吸収帯の温度変化に対する理論的説明 : エネルギー準位の計算
• 22aGQ-7 ボロン添加シリコンの原子空孔軌道と横波弾性定数C_の異方的な磁場依存性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 1a-L2-10 Si:oにおけるオフセンタートンネル励起-局在フォノン相互作用(半導体,(ナローギャップ半導体・輸送現象))
• 28p-LE-1 格子間型不純物酸素によるシリコン結晶の低温弾性異常(半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク