Formation of High-Density GaAs Hexagonal Nano-wire Networks by Selective MBE Growth on Pre-patterned (001) Substrates
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概要
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Attempts were made to grow high-density GaAs hexagonal nano-wire networks on (001) patterned substrates by selective molecular beam epitaxy (MBE). To form a hexagon, < -1 0 1 >- and < 5 1 0 >- directions were combined. By the growth of straight wire arrays in each direction, the growth mode, conditions and mechanism were investigated. The wire width was shown to be determined for both directions by the facet boundary planes resulting from the growth rate difference on different facets. By optimizing of growth condition, highly uniform and smoothly connected hexagonal nano-wire networks with a density of 3x10^8 cm^-2 were successfully formed.
- Elsevierの論文
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hasegawa Hideki
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr
-
Sato T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Sato Taketomo
Graduate School Of Electronics And Information Engineering And Research Center For Integrated Quantu
-
Tamai Isao
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
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