酸素雰囲気下におけるフラーレン及びポリチオフェンMISデバイスの電気特性(有機材料,一般)
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概要
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高分子絶縁層上にフラーレンあるいはポリチオフェンを製膜したMetal-Insulator-Semiconductor(MIS)デバイスを作製し、酸素雰囲気下でトランジスタ特性やMISダイオードの静電容量の電圧、周波数依存性を調べた。ポリチオフェンの場合、酸素雰囲気下でもトランジスタの移動度や閾値には大きな変化は無かったが、酸素によるキャリアドーピングが生じアクセプタ濃度が増加した。フラーレンの場合は酸素ドープによりトランジスタの閾値が大きくなり、移動度は大きく減少した。これらの現象は電極とのコンタクト抵抗や酸素によるフラーレン膜の抵抗の増加によるものと考えられた。
- 2009-10-16
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
松本 真弥
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
伊東 栄次
信州大
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