フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET
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概要
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- 2006-11-10
著者
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宮入 圭一
信州大学工学部
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伊東 栄次
信州大学工学部
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伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大
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宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
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宮入 圭一
信州大工
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松川 典仁
信州大学工学部
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