立体加工したS-D電極上に作製したボトムコンタクトペンタセン有機トランジスタの電気特性(有機薄膜・複合膜とデバイス応用,一般)
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概要
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本研究では酸化アルミニウムとポリイミドの積層膜からなるゲート絶縁層上にAuソース・ドレイン(S-D)電極をパターン化し、Auをマスクとしてポリイミド層を酸素プラズマ加工することで立体構造のS-D電極を作製した。試料を表面処理した後でペンタセンを蒸着することで新規なボトムコンタクト型の有機トランジスタを作製することで、トップコンタクト型と同等の高い性能と、ボトムコンタクト型素子並の電極パターンの加工精度、及び漏れ電流の低減が可能となった。本研究で提案するデバイスと、トップコンタクト型とボトムコンタクト型デバイスについて電気特性や表面形状や結晶性等を比較しながら検討した。
- 2008-10-31
著者
-
伊東 栄次
信州大工
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
藤森 達也
信州大学工学部
-
浦 裕亮
信州大学工学部
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大工
-
伊東 栄次
信州大
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