酸化タンタル膜表面処理のOFET特性への効果(機能性有機薄膜・一般)
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概要
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OFETの低電圧駆動を期待し絶縁層にTa_2O_5を用いたOFET特性の測定を行った。シランカップリング剤による表面処理によってTa_2 O _5表面の欠陥準位の減少、膜質の向上を促しFET特性向上を試みた。Ta_2 O _5により低電圧駆動が実現すると共に、電気特性はカップリング剤の種類によって変化した。これは、カップリング剤の上に成膜された半導体層のAFM像より、半導体層の成膜の仕方が変化するということで解明された。また二種類のポリイミド超薄膜をTa_2 O _5上に形成することにより絶縁層-半導体層界面の電気特性に与える影響を調べた。容量電圧特性を解析することにより半導体界面に高密度の界面準位が存在しFETの電気特性に影響を与えることが判明した。
- 2004-11-18
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
村山 哲朗
信州大学工学部
-
樋口 哲平
信州大学工学部
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