酸化タンタルゲート絶縁層を用いた有機FETの作製と電気特性(機能性有機薄膜,一般)
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概要
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現在,アモルファスシリコン(a-Si)に匹敵するキャリア移動度をもつ有機半導体材料を用いた有機FETの試作例が発表され,注目を集めている.また,その応用面から考えて,高いオン/オフ比,高速動作,低ゲート電圧駆動であることが求められている.五酸化タンタル(Ta_2O_5)の比誘電率は,一般的なゲート絶縁材料である酸化シリコン(SiO_2)の4と比較して22〜25と高く,またRFスパッタ法により低温プロセスによってすることができ,注目さている高誘電率材料の一つである.本稿では有機FETの低ゲート電圧駆動,低温プロセス化を目指し,酸化タンタル高誘電率ゲート絶縁層を用いた有機FETを作製し,その電気特性の評価を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-12
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
樋口 哲平
信州大学工学部
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