内部光電子放出法による高分子半導体/陰極界面の電位障壁の評価(有機材料・一般)
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概要
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本研究では代表的な高分子半導体材料として有機ELや有機太陽電池への応用が期待されるポリパラフェニレンビニレン誘導体(MEH-PPV)やポリフルオレン誘導体(PFO)と陰極界面の実効的な電位障壁を内部光電子放出法により測定した。陽極からの正孔注入を抑制する一方で、注入した電子をスムーズに輸送できるよう新たにITO/TiO_2/ポリイミド/高分子半導体/金属電極から成る3層構造を用いることで、電子注入障壁の電界依存性や陰極材料依存性を評価することに成功した。いずれの高分子材料においても障壁高さは陰極の仕事関数が大きいほど増加し、電圧により障壁が低下し、仕事関数が小さなMgやAl電極についてショットキー型の伝導との比較よりショットキー効果を捕らえていることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-05-22
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
山田 晃史
信州大学工学部
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
伊東 栄次
信州大
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