フッ素含有ポリイミドコートゲート絶縁層上に作製したポリチオフェンFET(有機材料,一般)
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概要
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本研究ではフッ素含有ポリイミドを界面絶縁層として作製したポリチオフェンFETの界面絶縁材料の違いによる効果に注目しながら、OFETの静特性とMISキャパシタの誘電特性を評価した。Ta_2O_5高誘電率ゲート絶縁層とフッ素含有ポリイミドを積層することでポリイミドの実効膜厚を約100nmまで薄くすることで容量変化量を高感度に検出すると共に駆動電圧を低減した。フッ素含有ポリイミドを絶縁層とした場合、フッ素含有量の違いにより閾値電圧に主に違いが現れたが、その他の特性に大きな違いは見られなかった。また、真空中での熱処理により移動度やC-V曲線が改善されたが、融点を超える240℃での高温熱処理では逆に特性を悪くした。
- 2006-11-03
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
松川 典仁
信州大学工学部
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