単層カーボンナノチューブとポリイミド複合体の微細パターン形成技術と電界電子放出特性(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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本研究では、シリコンエラストマーを用いてソフトリソグラフィと光ナノインプリントを併用した含フッ素樹脂の微細パターンの形成条件を検討した。ITO電極上にパターン化した含フッ素樹脂に交流重畳型電気泳動法を用いてポリイミド/酸処理した単層カーボンナノチューブ複合体を選択的に製膜し、電界電子放出特性を評価した。電界電子放出特性は微細パターンにカーボンナノチューブが垂直配向したため、ターンオン電界が1V/μmと小さく、電界集中係数が5430と高く、3.7V/μmで電流密度が1mA/cm^2を超える結果が得られた。
- 2009-10-22
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