ポリチオフェン有機薄膜トランジスタとその電気光学特性(機能性有機薄膜,一般)
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概要
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本研究では絶縁層にポリイミドを用い作製したポリチオフェン(P3HT)FETについてCharge modulation spectroscopy: CMS法を用いて電気光学特性を評価しFET特性やMISダイオードのCV特性から検討した。ポリイミド(SE-812)を絶縁層としたP3HT FETの移動度は3.1×10^<-3>cm^2/Vsの移動度となり、SE-812/P3HT界面への正孔の蓄積電荷量増加の際にギャップ間準位に相当する1.27,1.77eVに新たな光吸収が発生する一方P3HT本来の光吸収の減少が見られた。フッ素含有ポリイミド(FPI)を絶縁層に用いた素子においては8.5×10^<-5>cm2/Vsと移動度が低くなった。移動度が低い素子では1.27eVで見られた吸収が見られないなどCMS特性に大きな違いが見られた。長波長域の吸収の違いはキャリアの広がりやポーラロンの振る舞い、すなわちP3HT FETの移動度と関係がありCMS特性から界面の様子が推定できると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-02
著者
-
宮入 圭一
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学工学部
-
伊東 栄次
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大学 工学部 電気電子工学科
-
永井 裕士
信州大学工学部
-
宮入 圭一
信州大
-
宮入 圭一
信州大学工学部電気電子工学科
-
宮入 圭一
信州大工
-
伊東 栄次
信州大
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