ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 : 接触抵抗について(その7)(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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概要
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著者らは,鉛直方向においてハンマリング加振機構によって電気接点に対する微小振動が接触抵抗に与える影響を検討した.ハンマリング加振機構を用いて,ワイヤ結線用コネクタを装備した回路基板を加速度150Gで加振すると,コネクタの電気接点が劣化する現象が見られた.本研究では,SDメモリーカードを被加振対象とした.SDメモリーカードはモバイル機器に補助記憶装置として使用されており,その耐振動特性を解析する必要があると考えたからである.実験の結果,2000万回の加振後に電気接点の劣化現象が見られた.接触抵抗値変動に対してFretting Corrosionモデル・Sliding Contactモデルをと比較検討することで,微小振動がSDメモリーカードの電気接点に与える影響について考察できる可能性が示唆された.
- 2009-08-13
著者
-
澤 孝一郎
慶応義塾大
-
和田 真一
TMCシステム
-
園田 健人
TMCシステム
-
越田 圭治
TMCシステム
-
ノロブリン サインダー
TMCシステム
-
菊地 光男
TMCシステム
-
久保田 洋彰
TMCシステム
-
澤 孝一郎
慶応義塾大学:日本工業大学
-
越田 圭治
TMCシステム株式会社
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