ハンマリング加振機構による電気接点の劣化現象 : 接触抵抗について(その13)(放電,実装,EMC,一般)
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概要
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著者らは,鉛直方向においてハンマリング加振機構によって電気接点に対する微小振動が接触抵抗に与える影響を検討してきた.本研究では,モバイル機器に補助記憶装置として使用されており,その耐振動特性を解析する必要があると考えられるSDメモリーカードを被加振対象とした.実験の結果,2000万回の加振後に電気接点の劣化現象が見られた.接触抵抗値変動と接触表面状態には相関が見られた.微小振動がSDメモリーカードの電気接点に与える影響について考察できる可能性が示唆された.
- 2010-07-09
著者
-
澤 孝一郎
日本工業大学
-
澤 孝一郎
慶応義塾大
-
沢 孝一郎
慶應義塾大学大学院
-
和田 真一
TMCシステム
-
園田 健人
TMCシステム
-
越田 圭治
TMCシステム
-
ノロブリン サインダー
TMCシステム
-
久保田 洋彰
TMCシステム
-
小田部 正能
TMCシステム(株)
-
ノロブリン サインダー
Tmcシステム(株)
-
澤 孝一郎
慶應大学:日本工業大学
-
澤 孝一郎
日本工業大学工学部電気電子工学科
-
澤 孝一郎
慶応義塾大学:日本工業大学
-
小田部 正能
Tmcシステム
-
越田 圭治
TMCシステム株式会社
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