Growth of GaAs/InAs Antidot Structure by Solid-Source MBE
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概要
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Area selective epitaxy of antidot structures of GaAs/InAs heterostructures on GaAs substrates masked by SiO_2 has been investigated by solid-source molecular beam epitaxy. 100-nanometer-scale antidot structures have successfully been grown by a migration-enhanced deposition sequence. When the diameter of a SiO_2-covered hole is larger than 150nm, the sidewalls exhibit triangular shapes because of the formation of inclined {110} facets. However, when the diameter is reduced below this value, the {110} facets disappear from the sidewall. Instead, facet-free vertical sidewalls appear, implying the importance of surface tension during growth on small-diameter holes. Longitudinal resistance in Hall-bar samples with the antidot structure shows prominent fluctuation in the magnetic field between 0 and 2T. [DOI: 10.1143/JJAP.41.2505]
- 社団法人応用物理学会の論文
- 2002-04-30
著者
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
HORIKOSHI Yoshiji
School of Science and Engineering, Waseda University
-
HORIKOSHI Yoshiji
NTT Electrical Communications Laboratories
-
Okada Daisuke
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
-
Horikoshi Yoshiji
School Of Science And Engineering Waseda University
-
Horikoshi Yoshiji
Ntt Basic Research Laboratories:(present Address) School Of Science And Engineering Waseda Universit
-
Horikoshi Yoshiji
Ntt Electrial Communication Laboratories
-
SAITOH Tadashi
NTT Basic Research Laboratories, Physical Science Laboratory
-
Horikoshi Y
Department Of Electrical Electronics And Computer Engineering School Of Science And Engineering Wase
-
HASEGAWA Hiroyuki
School of Science and Engineering, Waseda University
-
Saitoh Tadashi
Ntt Basic Research Laboratories
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