Effects of Nitrogen Ion Beam Irradiation on a-C and CN_x Thin Films
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概要
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Amorphous carbon (a-C) and carbon nitride (CN_x) thin films were irradiated with a nitrogen ion beam (N^+/N^+_2) at different ion energies between 0.5-10 keV. The CN_x film showed high sputter erosion and a decrease in nitrogen concentration by ion bombardment. In a-C film, nitrogen accumulation inside it due to nitrogen ion implantation was clearly observed. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth profiles revealed that the ion implantation ranges of nitrogen in the a-C films were consistent with TRIM calculation. The existence of C-N covalent bonds was confirmed by XPS studies of the ion-implanted a-C film.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-10-15
著者
-
藤山 寛
長崎大学大学院生産科学研究科
-
Matsuda Yuko
Central R & D Laboratory Japan Energy Corporation
-
Matsuda Y
Central R & D Laboratory Japan Energy Corporation
-
FUJIYAMA Hiroshi
Faculty of Engineering Nagasaki University
-
JIN Yun-Sik
Faculty of Engineering, Nagasaki University
-
SHIBATA Tetsuya
Faculty of Engineering, Nagasaki University
-
MATSUDA Yoshinobu
Faculty of Engineering, Nagasaki University
-
Shibata Tetsuya
Faculty Of Engineering Nagasaki University
-
Jin Yun-sik
Faculty Of Engineering Nagasaki University
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