Au^+-Ion-Implanted Silica Glass with Non-Linear Optical Property
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1991-04-15
著者
-
Satoh Minoru
Nagaoka University Of Technology
-
Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
-
Fukumi Kohei
Government Industrial Research Institute Osaka
-
Horino Y
Diamond Research Center National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology (aist)
-
Satoh M
Tohoku Univ. Sendai Jpn
-
CHAYAHARA Akiyoshi
Government Industrial Research Institute
-
HORINO Yuji
Government Industrial Research Institute
-
SATOU Mamoru
Government Industrial Research Institute
-
Kadono Kohei
Government Industrial Research Institute Osaka
-
Sakaguchi Toru
Government Industrial Research Institute Osaka
-
Miya Masaru
Government Industrial Research Institute Osaka
-
Hayakawa Junji
Government Industrial Research Institute Osaka
-
HORINO Yuji
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
-
Chayahara Akiyoshi
Department Of Electrical Engineering Hiroshima University
-
Hirano Y
Advanced Device Development Dept. Renesas Technology Corp.
-
Kadono K
Osaka National Research Inst. Osaka
-
Satou Mamoru
Goverment Industrial Research Institute
-
Horino Yuji
National Inst. Of Advanced Industrial Sci. And Technol. Kansai Osaka Jpn
関連論文
- 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
- 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 20aTA-13 InGaSb/InAlSbヘテロ接合のマイクロ波および遠赤外光伝導(半導体スピン物性,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 22pPSA-68 InGaSb/InAlSbヘテロ接合中の2次元電子の遠赤外磁気光吸収(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 17-P-40 Effect of Magnetic Field on Thermal Comvection of Glass Melt
- 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 19aTA-4 Ge中のTeの赤外光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 28pPSB-7 ZnSe双晶界面の2次元電子の光学・伝導特性(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-5 2次元電子発光の励起スペクトルに現れるshake-up process(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-13 不純物共鳴吸収による微小重力下成長Ge:Sbの結晶性評価(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-12 Si:テラヘルツレーザーの励起スペクトル(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aYT-13 ZnSe双晶界面における自然形成2次元電子の輸送特性 : GaAs/AlGaAsヘテロ構造との比較(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-4 発光励起スペクトルによる GaAs/AlGaAs ヘテロ接合試料のバンドオフセットの決定(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- ドットおよびリング配列構造の遠赤外磁気光吸収
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
- 19aTA-3 低磁場下におけるInGaAs/InAlAsヘテロ接合のマイクロ波光伝導(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aTA-5 ボロンをイオン注入したシリコンの近赤外発光メカニズム(光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pPSA-11 THz光伝導における二次元電子サイクロトロン共鳴線の周波数依存性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-12 量子リングの伝導特性に対するマイクロ波誘起現象(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21pWF-4 サイクロトロン共鳴測定によるRashba分裂の観測(領域4シンポジウム : Rashbaスピン工学に関連する諸問題の現状と展望,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYC-9 InGaAs/InAlAsおよびGaAs/AlGaAsヘテロ接合におけるマイクロ波誘起磁気振動(半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYC-14 半導体量子リングの磁気抵抗に現れる局在電子効果(量子細線,量子ドット,バリスティック伝導,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aYT-11 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子への赤外光照射効果(化合物半導体・アモルファス,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 13aXE-8 映像による物理学実験説明の試み(物理教育 : 教育方法・実践, 領域 13)
- 14pYB-7 ZnSe 双晶界面に閉じ込められた電子の輸送特性(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 12pYC-2 単一量子リング中の電子のマイクロ波および遠赤外光応答(量子細線, 領域 4)
- 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
- 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
- 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- High-Dose Implantation of MeV Carbon Ion into Silicon
- Three-Dimensional Analysis of Locally Implanted Atoms by MeV Helium Ion Microprobe
- Au^+-Ion-Implanted Silica Glass with Non-Linear Optical Property
- Etching Rate Control by MeV O^+ Implantation for Laser-Chemical Reaction of Ferrite : Beam-Induced Physics and Chemistry
- Microbeam Line of MeV Heavy Ions for Materials Modification and In-Situ Analysis : Beam-Induced Physics and Chemistry
- Local Control of Magnetic Property in Stainless Steel Surface by Ion and Laser Beams : Beam-Induced Physics and Chemistry
- Microbeam Line of MeV Heavy Ions for Materials Modification and In-Situ Analysis
- Local Control of Magnetic Property in Stainless Steel Surface by Ion and Laser Beams
- Etching Rate Control by MeV O^+ Implantation for Laser-Chemical Reaction of Ferrite
- Preferentially Oriented Crystal Growth in Dynamic Mixing Process : An Approach by Monte Carlo Simulation
- Focused High-Energy Heavy Ion Beams
- Surface Structure of Ion-Implanted Silica Glass
- Tomography of Microstructures by Scanning Micro-RBS Probe
- Optimization in Spot Sizes of Focused MeV Ion Beam by Precise Adjustment of Lens-Current Excitations : Nuclear Science, Plasmas and Electric Discharges
- Titanium Nitride Crystal Growth with Preferred Orientation by Dynamic Mixing Method
- Homogeneous Growth of Zinc Oxide Whiskers
- Epitaxial Growth of Zinc Oxide Whiskers by Chemical-Vapor Deposition under Atmospheric Pressure
- 第2章 やりなおし物理学実験 ノイズと測定誤差の補正方法 (特集 現実の事象を回路やソフトウェアで処理するための必須の技術 技術者のためのデータ計測)
- Monte Carlo Simulation of Generations of Continuous and Characteristic X-Rays by Electron Impact
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photoexcitation
- 12-O-10 Micro Optical Elements Formed by CO_2 Laser Irradiation on Densified Silica Glass
- Chemical State and Refractive Index of Mg-Ion-Implanted Silica Glass
- 31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- New Method to Increase Solid Precursor Vaporization for Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- New Liquid Precursors of Yttrium and Neodymium for Metalorganic Chemical Vapor Deposition
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- Thermal Decompositiom of Ce0_2 in Ultra High Vacuum as a Cause of Polycrystalline Growth of Si Films on Epitaxial Ce0_2/Si
- Low-Temperature Epitaxial Growth of CeO_2(110)/Si(100) Structure by Evaporation under Substrate Bias
- Analysis of Misoriented Crystal Structure by Ion Channeling Observed Using Ion-Induced Secondary Electrons
- Mask Error Factor in Proximity X-Ray Lithography
- Optimum Phase Condition for Low-Contrast X-Ray Masks
- RBS/Channeling Study of the Crystallographic Correlation for Epitaxial CeO_2 on Si
- Continuum X-Ray Generation from W Film on Cu Substrate
- Structural Analysis for Water Absorption of SiOF Films Prepared by High-Density-Plasma Chemical Vapor Deposition
- Structural and Electrical Properties for Fluorine-Doped Silicon Oxide Films Prepared by Biased Helicon-Plasma Chemical Vapor Deposition
- High-Sensitivity Channeling Analysis of Lattice Disorder Near Surfaces Using Secondary Electrons Induced by Fast Ions
- Thermal Diffusivity Measurement of Chemical-Vapor-Deposited Diamond by an AC Calorimetric Method
- Two-Dimensional Effects on Measurement of Thermal Diffusivity by AC Calorimetric Method : I. Conditions for Precise Measurement
- Influence of Gas Desorption from SiOF Film Prepared by High-Density-Plasma Chemical Vapor Deposition upon TiN/Ti Film
- Improvement in Characteristics of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors by Heating with High-Pressure H_2O Vapor
- Heat Theatment of Amorphous and Polycrystalline Silicon Thin Films with High-Pressure H_2O Vapor
- Heat Treatment of Amorphous and Polycrystalline Silicon Thin Films with H_20 Vapor
- Structural and Electrical Properties for Fluorine-Doped Silicon Oxide Films Prepared by Biased Helicon-Plasma CVD
- Characterization of Stable Fluorine-Doped Silicon Oxide Film Prepared by Biased Helicon Plasma Chemical Vapor Deposition
- Electrical Characteristics of Metal/Cerium Dioxide/Silicon Structures
- Quantitative Analysis of Oxygen Deficiency in Epitaxial CeO_2 Layers on Siby Detecting ^O Added for Stoichiometry
- Intermediate Amorphous Layer Formation Mechanism at the Interface of Epitaxial CeO_2 Layers and Si Substrates
- Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors
- Optical anisotropy of carbon nano-fiber/silica composite films prepared under high magnetic field
- Formation of Microdots on the Surface of Densified Silica Glass by Thermal Relaxation
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 24pL-5 GaAs中の2層2次元電子系の磁気ルミネッセンス
- 30p-ZE-12 GaAs/AlGaAs-2次元電子系におけるマイクロ波ファラデー回転
- Browning of bismuth borate glass by heat treatment under vacuum