高周波測定におけるCMOS/SOI回路のリーク電流特性
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概要
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SOI MOSFETの高周波測定における閾値電圧シフト現象を、動作電流およびリーク電流特性から明らかにした。テスト回路として、51段インバータ列を用いて行なった。入力電圧が大きい場合には電子-正孔の発生電流が主となり、結果的に閾値電圧は減少することになる。また、入力電圧が小さい場合にはDC測定時の場合よりも閾値電圧は増加することがわかった。この測定方法は、SOI MOSFETにおける浮遊基板の基板電流の測定および、評価する際に有効な方法になるものと考えている。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-24
著者
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