回路シミュレーションによるVLSIプロセスパラメータ最適設計法
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概要
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VLSIの低消費電力化に関しては、回路方式や、電源/信号電圧などの回路レベルでの議論が数多くなされてきた。本研究では、チャネルドーピング濃度、酸化膜厚といったプロセス・レベルのパラメータを変化させた場合にVLSIの性能がどのような振舞を示すかを、CMOSインバータを例に回路シミュレーションによって解析し、消費電力、エネルギーといった観点からVLSIの最適設計を行うための指標を提案する。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
浅田 邦博
東京大学工学系研究科
-
池野 理門
株式会社トプスシステムズ
-
池野 理門
東京大学大学院工学系研究科:(現)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
Ikeno Rimon
Dsp Development Japan Worldwide Development Application Specific Products Tsukuba Technology Center
-
池野 理門
東京大学工学系研究科電子工学専攻
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