フローティングボディ型SOI MOSFETにおける正孔引き抜き機構のシミュレーション評価
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概要
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完全空乏型SOI MOSFETの基盤浮遊効果を抑制するために, ソース・ドレイン領域にAr イオンを注入する方法が提案されている. 本研究では, Arを注入したSOI MOSFETにおけるボディからソースへ正孔を引き抜くメカニズムを2次元デバイスシミュレータで検討した. その結果, Arを注入した領域の再結合が高まる影響だけでなく, Si格子の中にArが入り込むことで格子が広げられ, バンド幅が狭まってしまうという影響も考慮に入れる必要があることが分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-09-25
著者
-
浅田 邦博
東京大学大規模集積システム設計教育研究センター
-
野瀬 浩一
東京大学大学院工学系研究科
-
池野 理門
株式会社トプスシステムズ
-
池野 理門
東京大学大学院工学系研究科:(現)テキサスインスツルメンツ筑波研究開発センター
-
Ikeno Rimon
Dsp Development Japan Worldwide Development Application Specific Products Tsukuba Technology Center
-
浅田 邦博
東京大学大学院工学系研究科
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