完全空乏型SOI MOSFETのサブスレッショルド係数のバックゲート特性を用いた構造パラメータ評価手法
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概要
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本論文では,完全空乏型SOI MOSFETの構造パラメータ評価手法として,サブスレッショルド係数のバックゲート特性を用いることを提案する.サブスレッショルド係数のバックゲート特性にはゲート酸化膜やSOI層等の構造パラメータだけでなく,基板部及び埋込み酸化膜界面の状態に強く依存する特性が現れることがわかった.更に,サブスレッショルド係数のフィッティングによって得られたパラメータはドレーン電流特性においてもよい一致を与える.また,断面TEM観察の結果ともよく一致を示す.また,フィッティング精度の検討から,本手法の構造パラメータ抽出精度を確かめた.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-09-25
著者
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