タッチパネル用SnO_2:Nb透明導電性薄膜の作製とその評価
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概要
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透明電極のパターニングを必要としないアナログ型接触抵抗膜式タッチパネル用透明導電性薄膜として, 化学的に安定なSnO_2にNbを添加したSnO_2:Nb薄膜を高周波マグネトロンスパッタリング法により作製し, その電気的・光学的・機械的特性について検討した.その結果, 成膜温度200℃または300℃においてNb添加量を制御して作製したSnO_2:Nb薄膜を300℃または400℃のアニールにより, 抵抗率7×10^<-3>〜3×10^<-2>Ωcm, 波長550nm付近において透過率90%以上, さらにその耐摩耗性, 付着力, 硬さなどがITO薄膜より優れるなどのアナログ型タッチパネル用透明導電性薄膜として求められる性能を満たす薄膜が得られることがわかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-20
著者
-
南戸 秀仁
金沢工業大学・ものづくり研
-
草野 英二
金沢工業大学
-
草野 英二
金沢工業大学・高度材料科学研究開発センター
-
金原 粲
東京大学生産技術研究所
-
菊地 直人
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
菊地 直人
金沢工業大学AMS R&D C
-
金原 粲
金沢工業大学AMS R&D C
-
岸尾 悦郎
金沢工業大学高度材料科学研究開発センター
-
南戸 秀仁
金沢工業大学
-
金原 粂
金沢工業大学・高度材料科学研究開発センター
-
金原 粲
金沢工業大学
-
菊地 直人
金沢工業大学 A MSR & DC
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