ゾル-ゲル法により作製した酵素含有シリカゲル薄膜被覆グルコースセンサー
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概要
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酵素を含有したシリカゲル薄膜を被覆したグルコースセンサーをゾル-ゲル法により作製し, 得られたセンサーの特性を評価した.センサーはオルトケイ酸メチル(TMOS)50μlと1.5mgのグルコース酸化酵素(GOD)を含むリン酸緩衝液(10mM, pH5.5)100μlのゾル溶液に, 白金ディスク電極の先端部を浸して引き上げた後, 2日間空気中で乾燥させて作製した.得られたセンサーは0.6V(vs.Ag/AgCl)の印加電圧でグルコースに迅速に応答したが(応答時間 : 15秒), アスコルビン酸により妨害を受けた.そこで, センサーの選択性を改善するために, TMOSとGODとベルオキシダーゼの混合ゲル溶液から, 上記と同様の方法でセンサーを作製した.このセンサーは, メディエーター物質としてヘキサシアノ鉄(II)酸カリウムやフェロセンカルボン酸を用いると, 0Vの電位でグルコースに迅速に応答し, 10〜2000μMの範囲において直線性の良好な検量線が得られた.又, 0.2mM以下のアスコルビン酸はグルコースの測定に妨害とならなかった.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1995-11-05
著者
-
八尾 俊男
大阪府立大学大学院工学研究科物質・化学系専攻
-
八尾 俊男
阪府大院工
-
中原 武利
大阪府立大学工学部
-
八尾 俊男
大阪府立大学大学院工学研究科
-
原田 郁子
大阪府立大学工学部
-
中原 武利
大阪府立大学
-
八尾 俊男
大阪府立大学 工学部
-
中原 武利
大阪府立大学工学部:大阪府立大学先端科学研究所
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