Au と In-Sn 系はんだの界面における金属間化合物成長過程
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概要
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AuとIn-Sn系はんだによるマイクロ接合部の界面反応を調べるために, AuとSn-27InおよびSn-20Inの拡散対を用いて熱処理を行い, 反応層の成長過程および成長則を明らかにした。はんだ材の融点以下の固相反応においては, いずれのはんだ材の場合にも, 界面部には初めにAuIn_2, Au_7In_3, AuInなどのAu-In系の金属間化合物が生成し成長する。さらに熱処理を続けると, 界面部にはAu-Sn系の金属間化合物層が生成し, それに伴いAu_7In_3およびAuIn層は消滅する。一方, はんだ材の融点以上の温度の523Kで熱処理をした場合には, 熱処理時間60sで界面部にはすでにAu-Sn系の化合物層が生成することが明らかとなった。
- 社団法人エレクトロニクス実装学会の論文
- 1999-03-01
著者
-
荘司 郁夫
群馬大学工学部
-
小林 紘二郎
若狭湾エネルギー研究センター
-
小林 紘二郎
大阪大学大学院工学研究科
-
藤井 俊夫
大阪大学大学院工学研究科
-
小林 紘二郎
大阪大学大学院
-
藤原 伸一
大阪大学大学院:(現)日立製作所
-
荘司 郁夫
日本アイ・ビー・エム株式会社野洲事業所電子回路部品技術:(現)群馬大学工学部
-
清野 紳弥
大阪大学大学院工学研究科
-
藤井 俊夫
大阪大学大学院工学研究科:(現)松下電器産業株式会社
-
清野 紳弥
大阪大学大学院工学研究科:(現)株式会社村田製作所技術開発本部
-
荘司 郁夫
日本アイ・ビ・エム(株)野洲事業所
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