Development of an In-Situ Method of Fabricating Artificial Atom Structures on the Si(100) Surface
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概要
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- 1996-08-26
著者
-
Watanabe Satoshi
Aono Atomcraft Project Erato Research Development Corporation
-
Watanabe Satoshi
Hoshi University
-
Watanabe Satoshi
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
渡辺 聡
星薬大
-
HEIKE Seiji
Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
-
HASHIZUME Tomihiro
Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
-
和田 智史
東京工業大学大学院理工学研究科材料工学専攻
-
WADA Yasuo
Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.
-
Wada Satoshi
Department Of Physics Graduate School Of Science Tokyo University Of Science
-
Hashizume Tomihiro
Advanced Research Laboratory Hitachi Lid.
-
Lutwyche M
Hitachi Ltd. Saitama Jpn
-
Watanabe S
Hoshi Univ. Tokyo Jpn
-
LUTWYCHE Mark
Advanced Research Laboratory, Hitachi Ltd.
-
Lutwyche Mark
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Wada Y
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo:core Research For Evolutional Science And Techno
-
Heike S
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Heike Seiji
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Hitosugi T.
Department Of Superconductivity University Of Tokyo:(present Address)department Of Chemistry Univers
-
Heike S.
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Wada Yasuo
Central Research Laboratory Hitach Ltd.
-
Wada Yasuo
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
Heike S
Hitachi Ltd. Saitama Jpn
-
Hashizume Tomihiro
Advanced Research Lab., Hitachi, Ltd., Hatoyama, Saitama 350-0395, Japan
-
Heike Seiji
Advanced Research Lab., Hitachi, Ltd., Hatoyama, Saitama 350-0395, Japan
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