A Compact 209-nm Deep UV cw Light Source for Spectroscopy Using Frequency Doubling of a Diode Laser
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2003-08-15
著者
-
TOYODA Kenji
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
URABE Shinji
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
WATANABE Masayoshi
Kansai Advanced Research Center, National Institute of Information and Communications Technology
-
NISHIMURA Tomoo
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
Nishimura Tomoo
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
関連論文
- Optimization of Doppler Cooling of a Single ^Ca^+ Ion
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析(シリコン系量子効果デバイス,量子効果デバイス及び関連技術)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード(光・電子ナノデバイス)
- Si基板上(CdF_2/CaF_2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性(光・電子ナノデバイス)
- Room-Temperature Electroluminescence from Single-Period (CdF2/CaF2) Inter-Subband Quantum Cascade Structure on Si substrate (Special Issue: Solid State Devices & Materials)
- Room Temperature Electroluminescence of CdF_2/CaF_2 Inter-subband Transition Laser Structures grown on Si Substrate