III-V族化合物半導体の表面の物性とその制御 : ガリウム砒素からの窒化物半導体まで

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概要

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• 日本真空協会の論文
• 2002-11-20

著者

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

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