X-Ray Interference and Crystal Truncation Rod Observation of GaN and GaInN Layers Grown on Sapphire with AlN Buffer Layer (Proceedings of the Second International Conference on SRMS(Synchrotron Radiation in Materials Science)(2))
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
26aPS-108 MBE法による鉄ヒ素系薄膜の作製(領域8ポスターセッション(低温(Cu,Ru,Mn,Co酸化物など,磁束量子系,鉄系超伝導体)),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
-
Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
-
28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
-
III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
減圧OMVPE法によるErP/GaInP/GaAsヘテロ構造の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
-
低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
-
非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成
-
非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究
-
非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
-
23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
-
MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
-
MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
-
MBE法による低温成長GaAsへのEr添加と光学的特性(III族窒化物研究の最前線)
-
1原子挿入層によるヘテロ界面と結晶性の制御(電子部品・材料, 及び一般)
-
31pZF-5 ケルビンカ顕微鏡による GaAs 上 InAs 量子ドットの局所ポテンシャル観測
-
走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
-
走査トンネル分光で見たGaAs(001)面上InAs, InGaAs量子ドットの量子サイズ効果と合金化
-
25aTA-4 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットのトンネルスペクトルにおける光照射効果
-
23pW-2 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットの走査トンネル分光
-
25pY-8 光照射下におけるInAs/GaAs自己形成量子ドットの走査トンネル分光
-
25pY-7 走査トンネル分光を用いたInAs/GaAs量子ドットの量子閉じ込め効果の観測
-
MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
MBE法による低温成長AlGaAsへのEr添加と発光特性評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
-
蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
-
X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程
-
III族窒化物半導体結晶成長における低温堆積緩衝層の構造とその効果 : エピタキシャル成長II
-
X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
-
X線CTR散乱と干渉によるヘテロ界面構造の評価
-
ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
-
ヘテロ層厚の異なるInP/InGaAs/InP構造中の組成分布のX線CTR散乱法による評価
-
希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
-
XAFS測定の半導体への応用
-
27aYB-3 MnF_2-CaF_2超格子のESR II
-
22aG-4 MnF_2-CaF_2超格子のESR
-
Fe/Cu多層構造中のFe原子周辺局所構造の蛍光EXAFS法による解析
-
ヘテロエピタキシャル成長とヘテロ構造 : でき上がった構造をナノスケール非破壊で見る
-
III-V族化合物半導体ヘテロ界面におけるIII族原子分布のX線CTR散乱法による解析 : エピタキシャル成長III
-
実験室系のX線回折装置を使用したX線CTR測定による半導体ヘテロ構造界面評価
-
X-Ray Interference and Crystal Truncation Rod Observation of GaN and GaInN Layers Grown on Sapphire with AlN Buffer Layer (Proceedings of the Second International Conference on SRMS(Synchrotron Radiation in Materials Science)(2))
-
X線によるIII族窒化物半導体および低温緩衝層の構造評価 : バルク成長シンポジウム
-
X線CTR散乱とX線反射率測定によるIII族窒化物半導体の構造解析
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク