Magnetically Excited Plasma Oxidation of InP : Effects of Ar Mixing and Substrate Heating
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概要
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Oxide films of InP with good electrical characteristics and of sufficient thickness were obtained using magnetically excited plasma oxidation with Ar + O_2 mixed gas as an oxidant or with substrate heating to 200℃. These oxides were grown in helicon-wave-excited plasma. Both Ar mixing and substrate heating strongly enhanced the growth rate of the oxide film. However, the capacitance-voltage (C-V) characteristics of these oxides were not always good. The oxides grown in inductively coupled plasma, on the other hand, showed excellent C-V characteristics.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1996-01-01
著者
-
Sato Shingo
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Ikoma H
Sci. Univ. Tokyo Chiba Jpn
-
Ikoma Hideaki
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
FUNYU Akihiro
Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo
-
Funyu Akihiro
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Sato Shingo
Faculty Of Engineering Iwate University
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