Magnetically Excited Plasma Oxidation of InP
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概要
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High-quality oxide of InP having an excellent interface with InP was successfully grown with magnetically excited plasma oxidation of InP and annealing at 260℃ for 15 min in O_2 ambient. Outstanding capacitance-voltage (C-V) characteristics were obtained, which clearly showed both inversion and accumulation behaviors. The C-V curves at 300 K and 80 K coincided well with each other, indicating the absence of frequency dispersion. X-ray photoelectron spectroscopic measurements showed that InPO_4, the perfect oxide of InP, was the dominant component species in the oxide with a small amount of In_2O_3.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-08-01
著者
-
Sato Shingo
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Ikoma H
Sci. Univ. Tokyo Chiba Jpn
-
Ikoma Hideaki
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
FUNYU Akihiro
Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo
-
Funyu Akihiro
Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo
-
Sato Shingo
Faculty Of Engineering Iwate University
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