シリコーン蒸気中で開閉する接触面で生ずる特異な接触痕跡パターンについて
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概要
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シリコーン蒸気の存在する大気環境で小形リレーを動作させると、負荷条件がDC,1.6Wの値上で、その接触面に特徴的な形態のSiO_2汚染の発生が明かとなった。この1.6Wの負荷条件は接触不良を発生する限界値でありで、この値以上の条件で接触不良が発生し、その接触痕跡はSiO_2+Cで、アーク放電によるものである。この特徴的形態の汚染の発生は接触不良の限界値にあるので、その発生のメカニズムを解明することは、接触不良の原因解明につながると考えられる。そこで、閉成時ではジスール熱の発生とその最高温度部分、開離時にはマイクロアークとブリッジについて温度分布とともに、シリコーン蒸気の供給も考慮して、そのメカニズムを考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-06-18
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