接触境界部に介在する汚染皮膜の電気的破壊による低接触抵抗の回復とそのメカニズム

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概要

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機構デバイス(EMD)等の電気接点の接触部に、その表面に生成する酸化物や硫化物等の汚染皮膜が介在すると、接触抵抗を増大させて接触信頼性を害する結果となる。しかし、接触部にかかる印加電圧や通電電流を増加させてゆくと、ある値で抵抗値が低下(電気的破壊)して低接触抵抗が回復する現象がある。すなわち、接触抵抗は非可逆的な非線形抵抗を示す。安定な低接触抵抗を得るために、第一には接触部金材料の選択があるが、認識するとしないとにかかわらず、上記の電気的条件による作用が存在する。材料のみの選択においてはその限界が存在するので、それと合わせて、電気的条件の選択から安定な低接触抵抗を得ることが重要である。しかし、接触部の組成(接触部金属と汚染皮膜の種類)と電気的破壊条件との関係は明確ではなく、漠然とした経験による場合が多い。ここでは、汚染皮膜を含む電気的破壊の機構をいくつかのモデルについて検討し、破壊の実測地値との対応を行った。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-01-09

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