機構デバイスに及ぼすシリコーン汚染の影響とその対策
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概要
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シリコーン製品から蒸発する分子量の比較的低いシリコーン蒸気は表面に容易に吸着する.この吸着シリコーン分子が加熱されると分解して絶縁体のSiO_2を生ずる.機構デバイスの接触面等でこれが発生すると接触障害を引き起こす原因となる.ここでは,シリコーン蒸気の吸着による汚染を,機構デバイスにおける接触問題として筆者の研究結果を中心にまとめた.表面に吸着したシリコーン分子が加熱分解する静的な場合と,実際の開閉や摺動接触部で分解する動的な場合に分けて系統的に解説した.SiO_2生成のメカニズムを分解温度や濃度の点から,生成したSiO_2皮膜の接触抵抗への影響をまとめた.また,生成物の印加電圧依存性や,吸着膜が単分子膜であることを示した.次に,放電等を伴う接触不良に対する限界濃度,開閉頻度,電気負荷条件の影響の存在等もそのメカニズムとともに定量的に示し,1.6Wが不良発生の境界線であることを明らかにした.シリコーン汚染に対する対策に必要なシリコーンの重含度,濃度,負荷条件,開閉頻度,接触荷重等のパラメータを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-01
著者
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