走査トンネル顕微鏡(STM)による汚染接触部のトンネル導電の検討
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概要
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汚染皮膜が介在する接触部の導電機構においては、トンネル導電、ショットキー導電、不純物導電等が汚染皮膜の状態に応じて観測されている。皮膜破壊による低接触抵抗の回復現象がそれらの導電をもとに考察されている。トンネル顕微鏡(STM)の原理は、汚染皮膜の介在する接触部をトンネル導電で理想的なモデルとして現したものと見ることができる。そこで、トンネル顕微鏡(STM)で得られるSTM像の電圧依存性を調べることによってトンネル導電の特徴を把握し、これをもとにして、従来から報告されている数々の汚染皮膜が介在する接触部の電圧-電流特性を検討することによって、トンネル導電の有効性を明らかにした。
- 1995-11-17
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