接触障害とシリコーン蒸気の分解プロセスの形態 : 接触デバイスにおけるシリコーン汚染の影響(機構デバイスの信頼性,信頼性一般)
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概要
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シリコーン蒸気が接触面に吸着し、放電やジュール熱等の高温度に曝されると、それが分解してSiO_2を生じて接触不良となるといわれている。しかし、実際の接触部では非常に複雑な様相を呈する。これらの熱源は放電等で、局部的に非常に短い時間での加熱である。このため、吸着シリコーンは不完全な分解となり、開環重合で液体状のシリコーンや重合化シリコーンが生じ、接触不良へ至ることをここで示した。エネルギーの大きい放電ではSiO_2+Cを生じて接触不良を生ずる。さらにこのCの発生メカニズムも検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-02-08
著者
-
玉井 輝雄
三重大学大学院工学研究科社会連携講座車載ネットワーク技術研究室
-
服部 康弘
(株)オートネットワーク技術研究所
-
池田 博榮
三重大学大学院工学研究科車載ネットワーク技術研究室
-
池田 博榮
三重大学大学院工学研究科 車載ネットワーク技術研究室
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池田 博榮
(株)オートネットワーク技術研究所
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玉井 輝雄
三重大学大学院工学研究科車載ネットワーク技術研究室
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