エピタキシャル成長における3次元島形成を利用したナノテクスチャ創成に関する研究
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概要
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The epitaxial growth of Si on Si(001) substrate, under specific conditions, produces three-dimensional islands in nanometer order which is expected to serve as a texture to realize various functions. This paper aims to align the islands using the mesa structure with specific pattern on the substrate produced in advance. Firstly, the relationship between the mesa structure and arrangement regularity of islands was made clear based on experiments. Typical arrangement is that the islands with 50nm height and 200〜300nm diameter aligned in line in the center of mesa. Secondary, the non-uniform epitaxial growth near the mesa was modeled and general guideline to obtain specific pattern was made clear.
- 社団法人精密工学会の論文
- 2005-06-05
著者
-
金子 新
首都大
-
金子 新
東京都立大学大学院
-
角田 陽
東京高専
-
諸貫 信行
首都大
-
角田 陽
首都大
-
古川 勇二
東京農工大学工学府機械システム工学専攻
-
諸貫 信行
東京都立大学大学院
-
角田 陽
東京都立大学大学院
-
藤山 孝太郎
東京都立大学大学院
-
古川 勇二
職業能力開発総合大学校
-
古川 勇二
東京農工大学
-
藤山 孝太郎
東京都立大学大学院:(現)ヤマハ(株)
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