角田 陽 | 首都大
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概要
関連著者
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角田 陽
首都大
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諸貫 信行
首都大
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古川 勇二
職業能力開発総合大学校
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諸貫 信行
東京都立大学大学院
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角田 陽
東京都立大学大学院
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角田 陽
東京高専
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古川 勇二
東京都立大学
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古川 勇二
東京農工大学
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金子 新
首都大
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金子 新
東京都立大学大学院
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内山 賢治
日本大学
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諸貫 信行
都立大
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角田 陽
都立大
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内山 賢治
東京都立大学大学院 工学研究科
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太田 正廣
関東職業能力開発大学校
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吉田 真
首都大
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太田 正廣
首都大学東京
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太田 正廣
東京都立大学大学院
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太田 正廣
東京都立大学
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太田 正廣
首都大学東京 大学院 理工学研究科 機械工学専攻
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諸貫 信行
首都大学東京システムデザイン学部
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藤山 孝太郎
東京都立大学大学院
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金子 新
都立大
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土井 祐輔
東京都立大学大学院
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橋本 克美
東京都立大学大学院
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古川 勇二
都立大学大学院
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内山 賢治
都立大
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太田 正広
都立大
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太田 正廣
首都大
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青村 茂
首都大学東京
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藤原 敏
横浜市大
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西村 明儒
滋賀医科大学法医学講座
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高橋 翔子
首都大
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野沢 良
首都大学東京
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柿崎 佑太
東工大
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古川 勇二
東京農工大学工学府機械システム工学専攻
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藤原 敏
横市大
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古瀬 清人
首都大
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那須 亜矢子
横浜市大
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藤原 敏
横浜市大医
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西村 明儒
横浜市大医
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高岡 勝則
東京都立大学大学院
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崔 暁康
鄭州軽工業学院
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吉田 文人
都立大
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森 剛一郎
東京都立大学
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青木 立
東京都立産業技術高等専門学校ものづくり工学科
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Furukawa Yuji
Faculty Of Technology Tokyo Metropolitan University
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Furukawa Yuji
Faculty Of Eng. Tokyo Metropolitan University
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西村 明儒
横浜市大
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青村 茂
首都大学東京システムデザイン学部
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青村 茂
東京都立大学
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青村 茂
東京都立大学大学院工学研究科機械工学専攻
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KAKUTA Akira
Graduate School of Mechanical Engineering, Tokyo Metropolitan University
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MORONUKI Nobuyuki
Graduate School of Mechanical Engineering, Tokyo Metropolitan University
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松田 裕晴
東京都立大学大学院
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幸村 日呂喜
東京都立大学大学院
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宮越 博史
東京都立大学大学院
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川上 和也
東京都立大学
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北岡 真也
東京都立大学
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青木 立
東京都立工業高等専門学校
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樋口 勝
東京都立大学工学部
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原田 茂
東京都立大学
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太田 正廣
東京都立大学工学部
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押谷 学
首都大
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高橋 翔子
首都大院
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藤原 敏
横浜市立大学大学院医学研究科
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藤原 敏
横浜市立大学医学部法医学教室
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藤山 孝太郎
東京都立大学大学院:(現)ヤマハ(株)
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Moronuki Nobuyuki
Graduate School Of Mechanical Engineering Tokyo Metropolitan University
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Moronuki Nobuyuki
Graduate School Of Engineering Tokyo Metropolitan University
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青村 茂
首都大
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西村 明儒
徳島大学大学院ヘルスバイオサイエンス研究部感覚運動系病態医学講座法医学分野
著作論文
- A101 固体表面に施した微細な凹凸加工が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(細胞・分子工学)
- 516 固体表面に施した微細矩形溝が紅色光合成細菌のバイオフィルム形成に与える影響(GS-2:一般セッション(2)材料)
- 単結晶SiC薄膜の製作と微小構造材料への適用
- エピタキシャル成長における3次元島形成を利用したナノテクスチャ創成に関する研究
- 521 振動加工のための微小工具の機上成形(OS7 ナノ・マイクロ加工)
- 520 多軸振動工具を用いた表面テクスチャリング(OS7 ナノ・マイクロ加工)
- Si-MBEによるナノテクスチャ面の創成 : Si(100)基板におけるメサ上での3次元島の配列
- Surface Properties of SiC Layer Grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) with Helicon Sputtering Molecular Beam Source(Advanced Manufacturing Technology)
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成:直線を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャー面の創成 : 円形穴を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャー
- 分子線エピタキシによる(100),(110)単結晶Si面の平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第5報) : 分子線入射量が表面性状に及ぼす影響
- 分子線エピタキシによる単結晶Si平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第4報) : 基板のもつ熱エネルギが表面性状に及ぼす影響
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第10報)-(100)SiへのSi成長における基板温度の影響-
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第9報)-(100)および(110)Siにおける平滑化過程の相違-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第3報) -(111)Si基板へのSiC創成過程の観察-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第8報) -(100)および(110)Si基板の平面創成過程-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第2報) -C_2H_2分圧が炭化層の表面性状に及ぼす影響-
- ヘリコンスパッタ分子線源を用いたMBEによる単結晶SiC平滑面の創成に関する研究(第1報) -炭素源にC_2H_2を用いた場合-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第7報) -創成面の形状解析-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第6報)-基板面方位が表面性状に及ぼす影響-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第5報) -平面創成過程の観察-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第1報) -Si基板上へのSiC成長-
- シリコン製微小運動機構の運動特性
- デルタオペレータを用いた位置決め制御
- 単結晶シリコンの異方性エッチングによるマイクロスライダの製作
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第4報) -分子線入射量が表面性状に及ぼす影響-
- 顕微画像による微小物体の三次元運動計測
- 分子線エピタキシ(MBE)による超精密加工(第3報)-表面拡散が表面性状に及ぼす影響-
- 319 衝撃負荷を受ける神経細胞PC12の生存と損傷に関する研究(OS4-2:細胞のバイオメカニクス(2),OS4:細胞のバイオメカニクス)