角田 陽 | 東京都立大学大学院
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概要
関連著者
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諸貫 信行
首都大
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角田 陽
首都大
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諸貫 信行
東京都立大学大学院
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角田 陽
東京都立大学大学院
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古川 勇二
職業能力開発総合大学校
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古川 勇二
東京都立大学
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古川 勇二
東京農工大学
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角田 陽
東京高専
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金子 新
首都大
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金子 新
東京都立大学大学院
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内山 賢治
日本大学
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内山 賢治
東京都立大学大学院 工学研究科
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藤山 孝太郎
東京都立大学大学院
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土井 祐輔
東京都立大学大学院
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橋本 克美
東京都立大学大学院
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古川 勇二
東京農工大学工学府機械システム工学専攻
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高岡 勝則
東京都立大学大学院
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森 剛一郎
東京都立大学
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青木 立
東京都立産業技術高等専門学校ものづくり工学科
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松田 裕晴
東京都立大学大学院
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幸村 日呂喜
東京都立大学大学院
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宮越 博史
東京都立大学大学院
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川上 和也
東京都立大学
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北岡 真也
東京都立大学
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青木 立
東京都立工業高等専門学校
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樋口 勝
東京都立大学工学部
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原田 茂
東京都立大学
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藤山 孝太郎
東京都立大学大学院:(現)ヤマハ(株)
著作論文
- 単結晶SiC薄膜の製作と微小構造材料への適用
- エピタキシャル成長における3次元島形成を利用したナノテクスチャ創成に関する研究
- Si-MBEによるナノテクスチャ面の創成 : Si(100)基板におけるメサ上での3次元島の配列
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャ面の創成:直線を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャ
- 規則形状面へのMBEによるナノテクスチャー面の創成 : 円形穴を配置した(111)シリコン面におけるテクスチャー
- 分子線エピタキシによる(100),(110)単結晶Si面の平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第5報) : 分子線入射量が表面性状に及ぼす影響
- 分子線エピタキシによる単結晶Si平滑化過程
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第4報) : 基板のもつ熱エネルギが表面性状に及ぼす影響
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第10報)-(100)SiへのSi成長における基板温度の影響-
- 分子線エビタキシによる超精密加工(第9報)-(100)および(110)Siにおける平滑化過程の相違-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第3報) -(111)Si基板へのSiC創成過程の観察-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第8報) -(100)および(110)Si基板の平面創成過程-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第2報) -C_2H_2分圧が炭化層の表面性状に及ぼす影響-
- ヘリコンスパッタ分子線源を用いたMBEによる単結晶SiC平滑面の創成に関する研究(第1報) -炭素源にC_2H_2を用いた場合-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第7報) -創成面の形状解析-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第6報)-基板面方位が表面性状に及ぼす影響-
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第5報) -平面創成過程の観察-
- 分子線エピタキシによるSiC平滑面の創成(第1報) -Si基板上へのSiC成長-
- デルタオペレータを用いた位置決め制御
- 分子線エピタキシによる超精密加工(第4報) -分子線入射量が表面性状に及ぼす影響-
- 顕微画像による微小物体の三次元運動計測
- 分子線エピタキシ(MBE)による超精密加工(第3報)-表面拡散が表面性状に及ぼす影響-