InAsSb Quantum Dots Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy
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概要
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- Japan Society of Applied Physicsの論文
- 2005-02-10
著者
-
IWAMOTO Satoshi
Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectr
-
NAKAOKA Toshihiro
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo
-
ARAKAWA Yasuhiko
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo
-
KUDO Makoto
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
-
Iwamoto Satoshi
Institute Of Industrial Science Research Center For Advanced Science And Technology And Nanoelectron
-
荒川 泰彦
東大生研
-
Kudo Makoto
Central Research Lab. Hitachi Ltd.
-
Kudo Makoto
Central Research Laboratory Hitachi Ltd.
-
荒川 泰彦
東大生研ncrc:東大先端研
-
Arakawa Yasuhiko
Inst. For Nano Quantum Information Electronics The Univ. Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
3rd Department Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Arakawa Y
Nanoelectronics Collaborative Research Center The University Of Tokyo
-
荒川 泰彦
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan
-
Iwamoto Satoshi
Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of Tokyo
-
Nakaoka Toshihiro
Institute For Nano Quantum Information Electronics The University Of Tokyo
-
Nakaoka Toshihiro
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Iwamoto Satoshi
Institute for Nano Quantum Information Electronics and Institute of Industrial Science, University of Tokyo
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