Area-Controlled Growth of InAs Quantum Dots by Selective MOCVD
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-04-30
著者
-
TATEBAYASHI Jun
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
-
ISHIDA Satomi
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo
-
ARAKAWA Yasuhiko
Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo
-
NISHIOKA Masao
Institute of Industrial Science, University of Tokyo
-
Ishida S
Institute Of Industrial Science Research Center For Advanced Science And Technology And Nanoelectron
-
Ishida Satomi
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Tatebayashi Jun
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
SOMEYA Takao
Research Center for Advanced Science and Technology and Institute of Industrial Science, University
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Ishida S
Shimazu Corp. Kyoto Jpn
-
Nishioka Masao
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Ishida Satomi
Institute For Nano Quantum Information Electronics University Of Tokyo
-
Tatebayashi J
Institute Of Industrial Science The University Of Tokyo
-
Nishioka M
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
-
Ishida Satomi
Institute of Industrial Science, Research Center for Advanced Science and Technology, and Nanoelectronics Collaborative Research Center, University of Tokyo
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