Effects of InGaAs Insertion Layer on the Properties of High-Density InAs/AlAs Quantum Dots
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概要
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We studied the influence of an InGaAs insertion layer (IL) on the structural and optical properties of InAs/AlAs quantum dots grown on GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition. We also reviewed our previous results to compare the effects of the InGaAs IL. The linewidth of the luminescence was achieved at 27 meV using the InGaAs IL at room temperature. The dot density directly grown on AlAs was $1.6\times 10^{11}$/cm2, and decreased to $1.1\times 10^{11}$/cm2 and $5.3\times 10^{10}$/cm2 for dots grown on a 3.5 ML-GaAs IL and a 3.5 ML-InGaAs IL. This is attributed to the reduction in the AlAs effect, which forms high-density quantum dots, as the IL overgrown on a matrix layer.
- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2004-06-15
著者
-
Tatebayashi Jun
Research Center For Advanced Science And Technology University Of Tokyo
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
Park Se-Ki
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan
-
Park Se-Kd
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan
-
Tatebayashi Jun
Research Center for Advanced Science and Technology, Institute of Industrial Science, University of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan
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