ナイトライド面発光半導体レーザの常圧MOCVD成長
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概要
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我々はIn_<0.1>Ga_<0.9>Nを活性層とした面発光型レーザを試作して、レーザ発振の観測に成功した。発振波長は381nmである。レーザ構造は、In_<0.1>Ga_<0.9>NとGaNからなる3λ共振器を窒化物多層膜反射鏡(DBR)と誘電体DBRで挟み込んで作製された。GaNとAl_<0.34>Ga_<0.66>Nからなる35周期の窒化物DBRと活性層部分は常圧MOCVD法で形成され、TiO_2とSiO_2からなる誘電体DBRは電子ビーム蒸着法で形成された。レーザ発振は77Kで光励起の条件下で観測された。しきい値以上の強度で励起すると、発光線幅が2.5nmから0.1nmまで先鋭化し、レーザ発振が確認できた。
- 1999-02-24
著者
-
Arakawa Yasuhiko
Research Center For Advanced Science And Technology And Institute Of Industrial Science University O
-
染谷 隆夫
東京大学・生産技術研究所
-
荒川 泰彦
東京大学・生産技術研究所
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