電子線ホログラフィーと集束イオンビームを用いた電界効果トランジスタ(MOSFET)断面の2次元電位分布解析
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概要
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- 2002-12-20
著者
-
佐々木 勝寛
名古屋大学工学部
-
坂 公恭
名古屋大学工学部
-
加藤 直子
株式会社アイテス品質技術部
-
坂 公恭
名古屋大
-
佐々木 勝寛
名古屋大学大学院工学研究科・量子工学専攻
-
坂 公恭
名大・大学院
-
王 洲光
財団法人ファインセラミックスセンター
-
王 洲光
財団法人 ファインセラミックスセンター材料技術研究所
-
平山 司
財団法人 ファインセラミックスセンター材料技術研究所
-
加藤 直子
株式会社 アイテス半導体故障解析部
-
坂 公恭
名古屋大学
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