T0302-2-5 Si単結晶中の転位の透過型電子顕微鏡による解析([T0302-2]高信頼マイクロ・ナノデバイスのための設計・計測技術(2):応力・ひずみ計測)
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概要
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Dislocations in Si single crystals were examined by transmission electron microscopy. Two types of dislocations in Si, that is, glide type and shuffle type can be distinguished by means of high-resolution weak beam technique.
- 2010-09-04
著者
-
坂 公恭
名古屋大
-
坂 公恭
名大
-
坂 公恭
名古屋大学大学院工学研究科
-
坂 公恭
名古屋大学工学部量子工学
-
坂 公恭
名古屋大 大学院工学研究科
-
坂 公恭
名大・大学院
-
坂 公恭
名古屋大学
-
奥野 智子
名大
-
鈴木 敏之
名大
-
吉川 佳子
名大
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