40kA/cm[2]プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価 (超伝導エレクトロニクス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 2010-07-22

著者

• 赤池 宏之

  名古屋大学

関連論文

• 40kA/cm[2]プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価 (超伝導エレクトロニクス)
• CT-1-9 超伝導単一磁束量子回路(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• Nb/AlO_x/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究(エレクトロニクス)
• 24pWA-13 従来超伝導体における超伝導ゆらぎ伝導度の動的スケーリング解析(高温超伝導(トンネル分光・輸送特性),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討 (超伝導エレクトロニクス)
• プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製(接合及び材料,一般)
• C-8-13 Nb多層プロセスを用いて試作したシフトレジスタの測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-7 超伝導SFQ回路のための新Nb多層プロセス(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-7-5 高速動作SFQ回路のためのNb/AlOx/Nb接合プロセス技術(CS-7. 超伝導サブテラヘルツエレクトロニクス, エレクトロニクス2)
• ジョセフソン集積回路のための Nb/AlOx/Nb 接合作製プロセス
• SC-8-12 大規模SFQ回路のためのNb系アドバンストプロセスの開発(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
• C-8-4 大規模 SFQ 回路のための Nb 系多層平坦化プロセス技術
• Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
• アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の評価(接合及び材料,一般)
• C-8-6 10kA/cm^2Nbプロセス用単一磁束量子セルライブラリの構築(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-7 単一磁束量子回路を用いた2並列3段の再構成可能なデータパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-8 アドバンストプロセス2における4x4SFQスイッチ回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-9 A^*アルゴリズムに基づく単一磁束量子回路受動線路配線ツールの実装と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-10 2並列4段の再構成可能なデータパスを有する単一磁束量子回路の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-21 単一磁束量子回路における2並列2段の再構成可能なデータパスの動作実証(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-16 アドバンストプロセス2.1を用いた2並列2段のSFQ-RDPの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-10 Nb8層プロセスを用いた受動線路の設計と回路応用(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-8 プラズマ窒化AIN障壁層を持つNbN接合の障壁層形成法による特性比較(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-4 アドバンストプロセス2を用いた単一磁束量子回路によるALUの設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-3 アドバンストプロセス2におけるバイアス電流供給法が回路動作に与える影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般)
• 超伝導ディジタル素子を用いたソフトウエア無線受信機(技術展示, パネル討論, 無線信号処理実装, 一般)
• バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
• プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• 10kA/cm^2プロセスを用いた2並列2段単一磁束量子再構成可能なデータパスの動作実証(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• 40kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作評価(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
• TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• ISTEC 10-kA/cm^2 Nbアドバンストプロセス2を用いた4x4スイッチ回路の動作実証(信号処理基盤技術及びその応用,一般)
• 集束イオンビームを用いた酸化物超伝導体のサブミクロン加工 : YBaCuOサブミクロンラインの超伝導特性評価
• C-8-13 アドバンストプロセスを用いた4x4スイッチ回路の112GHzでの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-12 アドバンストプロセスを用いたSFQ-RDP用コンポーネント回路の動作評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• C-8-11 40-kA/cm^2プロセスによる単一磁束量子回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• L-gateを用いたSFQ論理回路の提案と実証
• Nb/AlOx/Nb技術を用いたOverdamp型NbNジョセフソン接合
• 論理ゲートとしての4接合結合型SQUIDの特性評価
• 4接合結合型SQUIDの特性と論理ゲート応用
• FINP法を用いた高品質微小ジョセフソン接合の作製
• C-8-13 10 kA/cm^2 Nbプロセスを用いたSFQ-RDPの45GHz動作(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• MgB_2超薄膜と接合の作製
• TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析
• C-8-1 Nb-9層アドバンストプロセスを用いて試作したシフトレジスタの測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 大規模SFQ回路のためのNb多層アドパンストプロセスの開発(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• プラズマ窒化AlNx障壁層を特つNbNトンネル接合の電気的特性改善(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• 磁性ナノ粒子膜に対するSQUIDインダクタンスの応答(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• C-8-11 FIFOを搭載した単一磁束量子再構成可能データパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 2012 Applied Superconductivity Conference [ASC 2012]
• C-8-12 4並列4段の単一磁束量子再構成可能データパスの検討(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• 磁性ナノ粒子薄膜を形成したSQUIDの閾値特性と共振ステップ(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
• C-8-5 低周波における4並列4段の単一磁束量子再構成可能データパスの動作評価(C-8.超伝導エレクトロニクス)
• PdNi合金薄膜パターンを有するSQUIDの電気的特性(薄膜,デバイス技術及びその応用,一般)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク