TDGL方程式による超伝導体薄膜の磁場排除効果の数値解析(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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本研究では時間依存Ginzburg-Landau(TDGL)方程式を数値解析することにより,モートを形成した超伝導体におけるボルテックスの振る舞いを明らかにすることを目指す.ここでは,外部磁場が0のときの超伝導転移後の超伝導薄膜中において,揺らぎにより生成されたボルテックスの軌道,速度,加速度を調査した.ボルテックスはモートに対して垂直な軌道を描いて捕捉され,加速度はモートに近づくにつれて指数関数的に増加することが確認できた.また,ボルテックスの加速度にはGLパラメータκ依存性が見られ,κの値が大きくなるほど,ボルテックスがモートから受ける力は小さくなるが,よりモートから離れた位置で生成されたボルテックスでもモートからの力を受けることが観測できた.
- 2010-10-12
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
井上 真澄
名古屋大学
-
御田村 直樹
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
井上 真澄
名大院工:jst-crest
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
堤 早希
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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